Електрофізичні та теплофізичні властивості наносистеми із структурою «ядро—оболонка» AgI/SiO₂

Abstract

Досліджено електрофізичні та теплофізичні властивості нанокомпозитів AgI/SiO₂ зі структурою «ядро—оболонка» (розмір ядра AgI ≅ 40 нм) в діяпазоні температур 300—450 К залежно від товщини оболонки діоксиду кремнію (5—15 нм). Встановлено залежність між температурою фазового β→α-переходу йодиду срібла із діелектричного до суперйонного стану і товщиною оболонки SiO₂. З’ясовано, що електропровідність наносистеми AgI/SiO₂ на порядок величини вища, ніж йодиду срібла у β-фазі, і характеризується оберненою залежністю від товщини оболонки SiO₂.

Electrophysical and thermophysical properties of the ‘core—shell’ AgI/SiO₂ nanocomposites (with AgI core of ≅ 40 nm) are studied within the temperature range 300—450 K, depending on silica shell thickness (5—15 nm). Relationship between the silica shell thickness and the β→α (dielectric—superionic) phasetransition temperature of silver iodide is found. As shown, the electrical conductivity of AgI/SiO₂ nanosystem is higher by one order of magnitude than β- AgI and increases with the decrease of silica shell thickness.

Исследованы электрофизические и теплофизические свойства нанокомпозитов AgI/SiO₂ со структурой «ядро—оболочка» (размер ядра AgI ≅ 40 нм) в диапазоне температур 300—450 К в зависимости от толщины оболочки диоксида кремния (5—15 нм). Установлена зависимость между температурой фазового β→α-перехода йодида серебра из диэлектрического в суперионное состояние и толщиной оболочки SiO₂. Обнаружено, что электропроводность наносистемы AgI/SiO₂ на порядок величины выше, чем йодида серебра в β-фазе, и характеризуется обратной зависимостью от толщины оболочки SiO₂.