Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Фотоґенерація носіїв заряду в тонких плівках нанокомпозитів ПЕПК—С₆₀

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Заболотний, М.А.
dc.contributor.author Сорока, А.Ю.
dc.contributor.author Дмитренко, О.П.
dc.contributor.author Куліш, М.П.
dc.contributor.author Барабаш, Ю.М.
dc.contributor.author Давиденко, М.О.
dc.contributor.author Студзинський, С.Л.
dc.contributor.author Оласюк, О.П.
dc.contributor.author Рарата, О.М.
dc.date.accessioned 2015-02-05T13:14:05Z
dc.date.available 2015-02-05T13:14:05Z
dc.date.issued 2012
dc.identifier.citation Фотоґенерація носіїв заряду в тонких плівках нанокомпозитів ПЕПК—С₆₀ / М.А. Заболотний, А.Ю. Сорока, О.П. Дмитренко, М.П. Куліш, Ю.М. Барабаш, М.О. Давиденко, С.Л. Студзинський, О.П. Оласюк, О.М. Рарата // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 3. — С. 519-531. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. uk_UA
dc.identifier.issn 1816-5230
dc.identifier.other PACSnumbers:72.20.Jv,72.80.Tm,73.30.+y,73.50.Gr,73.50.Pz,73.61.Wp,83.60.La
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75866
dc.description.abstract На даний час є недостатньо вивченими етапи процесу фотоґенерації носіїв заряду аморфних напівпровідників з домішками. Було досліджено фотоґенераційні властивості аморфних напівпровідників, допованих фуллеренами в різних концентраціях. Встановлено, що температура топлення композитів полі-N-епоксипропілкарбазолу (ПЕПК) з фуллеренами С₆₀ зростає при збільшенні концентрації С₆₀. Спостерігалося збільшення ефективної температури при збільшенні концентрації С₆₀, що свідчить про участь С₆₀ у формуванні Кулонових пасток у центрах фотоґенерації носіїв заряду. Значення ефективної температури з точністю у 10% збігається із значенням температури топлення композитів ПЕПК +С₆₀. uk_UA
dc.description.abstract The process stages of charge-carriers’ photogeneration in amorphous semiconductors with impurities are under investigation until now. Photogeneration properties of amorphous semiconductors doped by fullerenes of various concentrations are studied. As revealed, the melting point of composites of poly-N-epoxypropylcarbazole (PEPC) with fullerene C₆₀ increases with growing C₆₀ concentration. Increase of effective temperature with growing C₆₀ concentration takes place, indicating the participation of C₆₀ in the formation of Coulomb traps in the centres of charge-carriers’ photogeneration. The value of effective temperature coincides with the value of the melting temperature of PEPC—C₆₀ composites with an accuracy of 10%. uk_UA
dc.description.abstract На данный момент недостаточно изученными являются этапы процесса фотогенерации носителей заряда аморфных полупроводников с примесями. Были исследованы фотогенерационные свойства аморфных полупроводников, допированных фуллеренами в разных концентрациях. Установлено, что температура плавления композитов поли-N-эпоксипропилкарбазола (ПЭПК) с фуллеренами С₆₀ возрастает при увеличении концентрации С₆₀. Наблюдалось увеличение эффективной температуры при увеличении концентрации С₆₀, что свидетельствует об участии С₆₀ в формировании кулоновских ловушек в центрах фотогенерации носителей заряда. Значение эффективной температуры с точностью в 10% совпадает со значением температуры плавления композитов ПЭПК + С₆₀. uk_UA
dc.language.iso uk uk_UA
dc.publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
dc.title Фотоґенерація носіїв заряду в тонких плівках нанокомпозитів ПЕПК—С₆₀ uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис