Вплив підшару ґерманію на процес перколяції в тонких плівках паладію

Abstract

Досліджено електропровідність щойнонанесених ультратонких плівок паладію. Показано, що попередньо нанесений на діелектричне підложжя підшар ґерманію субатомової товщини пришвидшує процес металізації плівок паладію. Для пояснення процесу металізації шару використано перколяційну теорію. Підшар ґерманію сприяє 2D-механізму росту плівки металу. Розмірні залежності питомого опору плівки паладію описано за допомогою теорій перенесення заряду в системах обмежених розмірів.

Electrical conduction in as deposited ultrathin palladium films is investigated. Predeposition of subatomic-thickness Ge sublayer on dielectric substrates hastens metallization of palladium films. The percolation theory is used for explanation of the metallisation in palladium layer. The germanium sublayer promotes 2D mechanism of metal film growth. The size dependences of palladium film conductivity are explained within the scope of the electronic transport theory in finite-size systems.

Исследована электропроводность свежеосаждённых ультратонких плёнок палладия. Показано, что предварительное осаждение на диэлектрическую подложку подслоя германия субатомной толщины ускоряет процесс металлизации плёнок палладия. Для объяснения процесса металлизации слоя использована перколяционная теория. Подслой германия содействует 2D-механизму роста плёнки металла. Размерные зависимости электропроводности плёнок палладия описаны с помощью теорий электронного переноса в системах ограниченных размеров.