Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния

Abstract

Исследовано влияние облучения нейтронами и гамма-квантами на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния. Показано, что действие излучения в основном проявляется в изменении времени жизни неосновных носителей в базе транзистора, что приводит к изменению его коэффициента передачи тока и магниточувствительности. Экспериментально установлено, что гамма-излучение дозой 10⁷ Р увеличивает магниточувствительность в 3 раза, а облучение потоком нейтронов до 5·10¹² н/см² уменьшает ее в 2 раза.

The influence of radiation by neutron and gamma-ray quantum on sensitivity of magnetotransistors produced from high-resistivity silicon has been investigated. It is shown that the radiation action is revealed itself basically in changing life time of charge carriers in the transistor base that causes changing its alpha coefficient and magnetosensitivity. It has been established experimentally that gamma-ray radiation by dose to 10⁷ roentgen increases magnetosensitivity a three times and radiation by neutrons flow to 5·10¹² n/sm² decreases it a two times.