Тепловые режимы формирования омических контактов  к арсениду галлия

dc.contributor.author	Иващук, А.В.
dc.date.accessioned	2014-11-18T06:52:11Z
dc.date.available	2014-11-18T06:52:11Z
dc.date.issued	2000
dc.identifier.citation	Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия / А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70962
dc.description.abstract	Описано устройство для термоообработки полупроводниковых пластин, обеспечивающее быстрый нагрев и охлаждение образцов и создающее необходимые условия для равномерной рекристаллизации и улучшения морфологии омических контактов в процессе вплавления металлизации. Оптимизированы тепловые режимы формирования омических контактов с учетом массы образца к n-GaAs для полевых транзисторов с барьером Шоттки.	uk_UA
dc.description.abstract	The device for semiconductor wafers thermal treatment that provides the fast heating and cooling of samples and creates the necessary conditions for uniform recrystallization and morphology imrovement of ohmic contacts during alloying of metallization has been described. The thermal modes of ohmic contacts formation to n-GaAs for field effect transistors with Schottky barrir have been optimized with account of sample mass.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технология производства	uk_UA
dc.title	Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия	uk_UA
dc.title.alternative	Теплові режими формування омічних контактів до арсеніду галія	uk_UA
dc.title.alternative	The thermal conditions of ohmic contacts formation to gallium arsenide	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.382.002