Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника

dc.contributor.author	Иващук, А.В.
dc.contributor.author	Кохан В.П.
dc.date.accessioned	2014-11-16T20:04:58Z
dc.date.available	2014-11-16T20:04:58Z
dc.date.issued	2000
dc.identifier.citation	Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника / А.В. Иващук, В.П. Кохан // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 4. — С. 35-37. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70944
dc.description.abstract	Предложено устройство и технология обработки поверхности полупроводника в едином технологическом цикле с нанесением металлизации барьерных и омических контактов.	uk_UA
dc.description.abstract	The device design has been presented and technology of GaAs surface treatment with low energy argon ions followed by barrier or ohmic contacts in the single vacuum cycle without discapsulation of evaporation chamber has been described. It is shown that barrier contacts fabricated by the use of proposed technology process have the improved electrical parameters and thermal stability.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технология производства	uk_UA
dc.title	Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника	uk_UA
dc.title.alternative	Пристрій для очистки й легування поверхні напівпровідника	uk_UA
dc.title.alternative	The device for the cleaning and doping of semiconductor surface	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA