Физические имитаторы мощных транзисторов

dc.contributor.author	Стевич, З.
dc.date.accessioned	2014-11-16T17:10:58Z
dc.date.available	2014-11-16T17:10:58Z
dc.date.issued	2000
dc.identifier.citation	Физические имитаторы мощных транзисторов / З. Стевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 2-3. — С. 15-16. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70922
dc.description.abstract	Рассмотрены возможности использования физических моделей (имитаторов) транзисторов высоких мощностей в процессе создания новых радиоэлектронных приборов вместо реальных (чаще всего дорогостоящих) транзисторов. Приведены принципиальные схемы сигнализации перенапряжения и токовой перегрузки.	uk_UA
dc.description.abstract	Possibilities of using physical models (simulators) of transistors of high power during creation process of new radioelectronical devices instead of real (mostly expensive) transistors have been considered. The circuit diagrams of overvoltage and current overload allarming have been given.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Электронная аппаратура: исследования, разработки	uk_UA
dc.title	Физические имитаторы мощных транзисторов	uk_UA
dc.title.alternative	Фізичні імітатори потужних транзисторів	uk_UA
dc.title.alternative	Physical models of power transistors	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.382.36621.372