Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов

dc.contributor.author	Власенко, А.И.
dc.contributor.author	Власенко, З.К.
dc.contributor.author	Гнатюк, В.А.
dc.contributor.author	Смирнов, А.Б.
dc.contributor.author	Курило, И.В.
dc.contributor.author	Рудый, И.А.
dc.contributor.author	Ижнин, И.И.
dc.date.accessioned	2014-11-15T18:52:48Z
dc.date.available	2014-11-15T18:52:48Z
dc.date.issued	2001
dc.identifier.citation	Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов / А.И. Власенко, З.К. Власенко, В.А. Гнатюк, А.Б. Смирнов, И.В. Курило, И.А. Рудый, И.И. Ижнин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 25-29. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70889
dc.description.abstract	Показана возможность создания двухполосного фоторезистора для ИК-областей спектра на основе варизонной эпитаксиальной структуры КРТ с расположенным в глубине пленки (параллельно освещаемой поверхности) рекомбинационно активным слоем металлургической границы. При этом спектральное положение полос фоточувствительности может технологически регулироваться составом и рекомбинационными параметрами диффузионного и нарощенного слоев.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микроэлектроника	uk_UA
dc.title	Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.384.3