Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика

dc.contributor.author	Курмашев, Ш.Д.
dc.contributor.author	Викулин, И.М.
dc.contributor.author	Ленков, С.В.
dc.date.accessioned	2014-11-15T18:42:46Z
dc.date.available	2014-11-15T18:42:46Z
dc.date.issued	2001
dc.identifier.citation	Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика / Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, С.В. Ленков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 6-8. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70884
dc.description.abstract	Показана возможность использования в качестве подзатворного диэлектрика МДП-структур оксидов Er, Dy, La. Преимущества использования оксидов редкоземельных элементов в качестве подзатворного диэлектрика определяются большой величиной удельной емкости. Это дает возможность улучшить эксплуатационные характеристики систем отображения информации, МДП-транзисторов, расширить диапазон изменения емкости варикапов, а также создавать малогабаритные конденсаторы большой емкости.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы для микроэлектроники	uk_UA
dc.title	Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.314.26