Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники

dc.contributor.author	Королюк, С.Л.
dc.contributor.author	Королюк, С.С.
dc.contributor.author	Раренко, И.М.
dc.contributor.author	Тарко, О.Л.
dc.contributor.author	Галочкин, А.В.
dc.date.accessioned	2014-11-15T18:40:55Z
dc.date.available	2014-11-15T18:40:55Z
dc.date.issued	2001
dc.identifier.citation	Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники / С.Л. Королюк, С.С. Королюк, И.М. Раренко, О.Л. Тарко, А.В. Галочкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70883
dc.description.abstract	Предложена идея нетрадиционного усилителя тока на основе радиационно стойких полупроводников (ПП) группы A³₂B⁶₃. Кристаллическая решетка этих ПП содержит стехиометрические вакансии (пустые узлы), которые захватывают и электрически нейтрализуют вводимые примеси. Поэтому создать в таких ПП p—n-переход и на его основе усилитель — невозможно. Идея авторов основана на том, что в собственном ПП, помещенном во внешнее электрическое поле, увеличивается количество электронно-дырочных пар вследствие понижения ионизационного потенциала атомов ПП (эффект Зенера).	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы для микроэлектроники	uk_UA
dc.title	Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.315.592