Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур

dc.contributor.author	Гаджиев, Э.М.
dc.contributor.author	Гусейнов, Я.Ю.
dc.contributor.author	Исмайлов, Н.М.
dc.contributor.author	Касимов, Ф.Д.
dc.date.accessioned	2014-11-15T10:46:28Z
dc.date.available	2014-11-15T10:46:28Z
dc.date.issued	2001
dc.identifier.citation	Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур / Э.М. Гаджиев, Я.Ю. Гусейнов, Н.М. Исмайлов, Ф.Д. Касимов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 28-30. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70837
dc.description.abstract	Исследовано влияние γ-излучения на параметры границы раздела Si-SiO₂ МОП-структур в зависимости от технологических режимов их получения.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Качество. Надежность	uk_UA
dc.title	Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.315.592