Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры

dc.contributor.author	Мокрицкий, В.А.
dc.contributor.author	Завадский, В.А.
dc.date.accessioned	2014-11-15T08:37:00Z
dc.date.available	2014-11-15T08:37:00Z
dc.date.issued	2001
dc.identifier.citation	Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры / В.А. Мокрицкий, В.А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 1. — С. 25-27. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70825
dc.description.abstract	Исследовано влияние радиационной обработки быстрыми электронами и быстрыми нейтронами на полупроводниковые микросхемы, используемые в качестве первичных преобразователей температуры, и гибридные микросборки, предназначенные для измерения и стабилизации температуры первичных преобразователей неэлектрических величин. Предложена технология радиационной обработки быстрыми электронами исследованных полупроводниковых микросхем, позволяющая в зависимости от величины дозы повысить температурный коэффициент напряжения первичных преобразователей на 10-20%. Определены пороговые дозы радиационного воздействия быстрыми электронами и быстрыми нейтронами, которые обеспечивают улучшение качества гибридных микросборок.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технология производства	uk_UA
dc.title	Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.37/39.193:539.216:539.211