Ковтун, Г.П.; Кравченко, А.И.; Щербань, А.П.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
Изложены особенности разработанной установки для выращивания монокристаллов GaAs диаметром 80—100 мм под слоем флюса в условиях низкого температурного градиента. Монокристаллы GaAs характеризуются низкой плотностью дислокаций ...