Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах

Abstract

Рассмотрена термостабильность омических и выпрямляющих контактных систем AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au к эпитаксиальным структурам арсенида галлия n-типа толщиной 3–5 мкм и концентрацией носителей (5...6)·10¹⁵ cм⁻³. Показано, что контакты со слоями TiNх, TaNх, TiBrх мало изменяют параметры после термообработки при 550°C в течение 1 часа. Контакты со слоями Ti и Ta при термообработке 550°C резко изменяют свои характеристики.

Discussion of the thermal stability of ohmic and rectifying AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au contacts to n-type GaAs epitaxial layer structures 3—5 mm thick with carrier concentration ranged between (5...6)·10¹⁵ cm⁻³. It is shown that parameters of contacts which included TiNх, TaNх, TiBrх layers changed slightly after annealing at 550°C for 1 hour. Contacts with Ti and Ta layers showed abrupt changes in their characteristics when annealed at 550°C.