Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления

dc.contributor.author	Марончук, И.Е.
dc.contributor.author	Кучерук, А.Д.
dc.contributor.author	Ерохин, С.Ю.
dc.contributor.author	Чорный, И.В.
dc.date.accessioned	2014-11-13T19:44:02Z
dc.date.available	2014-11-13T19:44:02Z
dc.date.issued	2002
dc.identifier.citation	Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления / И.Е. Марончук, А.Д. Кучерук, С.Ю. Ерохин, И.В. Чорный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 38-43. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70806
dc.description.abstract	Продемонстрирована возможность создания различных типов датчиков давления на низкоразмерных структурах. Предложены принципиально новые пути расширения динамического диапазона и линейности нагрузочных характеристик высокочувствительных датчиков, базирующиеся на создании либо набора квантовых точек различных размеров, либо градиента ширины квантовых ям в сверхрешетках. Представлены экспериментальные результаты исследования эпитаксиальных слоев с квантовыми точками, полученных методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава.	uk_UA
dc.description.abstract	The opportunity of manufacturing of different types of pressure sensors based on low-dimensional structures has been demonstrated. The fundamentally new methods of expansion of pressure range and linearity of high-sensitive sensors have been offered. They are based on making either quantum dots with different sizes or the gradient of quantum well thickness in superlattices. The experimental results of investigation of epilayers with quantum dots obtained by the method of pulse cooling of saturated solution-melt have been represented.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Сенсоэлектроника	uk_UA
dc.title	Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления	uk_UA
dc.title.alternative	Using of III-V low-dimensional heterostructures in pressure sensors	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	531.781.2