Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники

Abstract

Приведены результаты численного моделирования электрофизических свойств GaAs в зависимости от содержания остаточных примесей, изложены физические методы рафинирования для получения высокочистых Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr и др. металлов. Приведены результаты исследований по стойкости кварцевых тиглей с покрытиями в расплавах GaAs и Ga и результаты разработок геттерных материалов на основе сплавов Zr для очистки технологических газов. Показана важность комплексного подхода к проблеме высокочистых исходных материалов.

In work results of numerical modelling electrophysical properties GaAs are given on the content of residual impurity, physical methods of refinement for reception high purity Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr and other metals are stated. Results of researches on stability quartz crucibles with coverings in GaAs and Ga melts and results of development getter materials are given on the basis of alloys Zr for clearing technological gases.