Диодные реакторные системы микротравления

dc.contributor.author	Фареник, В.И.
dc.date.accessioned	2014-11-12T07:57:23Z
dc.date.available	2014-11-12T07:57:23Z
dc.date.issued	2002
dc.identifier.citation	Диодные реакторные системы микротравления / В.И. Фареник // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 38-42. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70773
dc.description.abstract	Выполнены разработки малоэнергоемкого плазменного технологического оборудования на основе разрядов с комбинированными постоянным и переменным электрическим и магнитным полями. В настоящей работе приведены результаты исследований характеристик высокочастотного емкостного разряда и разработки диодных реакторов установок микротравления с малым энерговкладом.	uk_UA
dc.description.abstract	The development low-power intensive plasma technological equipment is maid on the basis of discharges with combined direct and alternating electrical and magnetic fields. The results of parameter investigations of high-frequency capacitive discharge and development of diode-reactors of the microetching devices with a low-energy deposition are adduced.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Новое технологическое оборудование для микроэлектроники	uk_UA
dc.title	Диодные реакторные системы микротравления	uk_UA
dc.title.alternative	Diode-reactor systems of a microetching	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	533.915;539.23