Касимов, Ф.Д.; Лютфалибекова, А.Э.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
Моделированием и экспериментальными исследованиями показано, что увеличение тока на несколько порядков в канале арсенидгаллиевого полевого транзистора под влиянием γ-излучения обусловлено появлением в подложке вторичных ...