Вакив, Н.М.; Круковский, С.И.; Завербный, И.Р.; Мрыхин, И.А.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
Рассматриваются особенности получения эпитаксиальных структур п. и.-GaAs—n-GaAs: Sn для датчиков Холла методом низкотемпературной “висмутовой” жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). На основе этих структур изготовлены датчики Холла, ...