Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов

dc.contributor.author	Емцев, П.А.
dc.date.accessioned	2014-11-11T15:00:32Z
dc.date.available	2014-11-11T15:00:32Z
dc.date.issued	2003
dc.identifier.citation	Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов / П.А. Емцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 20-26. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70713
dc.description.abstract	Рассмотрены вопросы моделирования транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT). Изложены требования к модели НЕМТ. Описаны наиболее распространенные типы моделей: малосигнальные, шумовые, нелинейные и распределенные. Описан алгоритм экстракции параметров малосигнальной модели. Даны ссылки на источники, в которых описаны алгоритмы экстракции параметров для шумовых и нелинейных моделей. Приведены рекомендации по выбору модели транзистора для проектирования конкретных устройств. Поставлена задача разработки универсальной модели и внесения соответствующих изменений в программное обеспечение.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микроэлектроника	uk_UA
dc.title	Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов	uk_UA
dc.title.alternative	Моделювання транзисторів з високою рухливістю електронів	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.382.3