Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений

dc.contributor.author	Кондрик, А.И.
dc.contributor.author	Ковтун, Г.П.
dc.date.accessioned	2014-11-11T14:52:59Z
dc.date.available	2014-11-11T14:52:59Z
dc.date.issued	2003
dc.identifier.citation	Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70708
dc.description.abstract	Методом компьютерного моделирования исследовались дрейфовая подвижность электронов проводимости (µ) и удельное сопротивление (ρ) материала детекторов CdZnTe в зависимости от примесного состава и мольной доли соединения СdTe (CСdTe) при температуре Т=300 К. Установлено, что увеличение запрещенной зоны Eg0 (при Т=0) от 1,6 эВ (CСdTe=1) до 1,8 эВ (CСdTe"0,8) приводит к увеличению ρ примерно на два порядка. При сохранении исходного состава фоновых примесей дальнейшее увеличение Eg0 вплоть до 2,1 эВ (соответствующее CСdTe"0,5) существенно не влияет на величину Eg0.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы для микроэлектроники	uk_UA
dc.title	Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений	uk_UA
dc.title.alternative	Дослідження властивостей напівпровідникових матеріалів для детекторів іонізуючих випромінювань	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.315.592:546.28