Перспективы развития и применения микроэлектронной негатроники

dc.contributor.author	Касимов Ф.Д.
dc.date.accessioned	2014-11-11T06:26:42Z
dc.date.available	2014-11-11T06:26:42Z
dc.date.issued	2003
dc.identifier.citation	Перспективы развития и применения микроэлектронной негатроники / Ф.Д. Касимов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 5. — С. 5-8. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70687
dc.description.abstract	Показано, что одновременное выращивание локальных пленок поли- и монокристаллического кремния легло в основу развития микроэлектронной негатроники - нового направления функциональной электроники. Сочетание в едином кристалле чувствительных элементов и аналогов негатронов позволяет создавать микроэлектронные преобразователи неэлектрических величин с передачей сигналов на расстояние. Изложен взгляд на перспективы использования микроэлектронной негатроники, в том числе бионегатроники.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Техническая политика	uk_UA
dc.title	Перспективы развития и применения микроэлектронной негатроники	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621. 315.592