Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях

dc.contributor.author	Москалюк, В.А.
dc.contributor.author	Тимофеев, В.И.
dc.contributor.author	Иващук, А.В.
dc.date.accessioned	2014-11-09T11:43:33Z
dc.date.available	2014-11-09T11:43:33Z
dc.date.issued	2003
dc.identifier.citation	Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях / В.А. Москалюк, В.И. Тимофеев, А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 61-64. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70643
dc.description.abstract	Предложен способ аналитического расчета времен релаксации концентрации, импульса и энергии для GaAs в сильных электрических полях для моделирования динамических процессов с помощью соответствующих уравнений баланса.	uk_UA
dc.description.abstract	The method of analytical calculation of the relaxation times of concentration, pulse and energy for GaAs in strong electric fields for modeling dynamic processes with the help of the appropriate equations of the balance is offered.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Твердотельная СВЧ-микроэлектроника	uk_UA
dc.title	Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях	uk_UA
dc.title.alternative	Calculation of relaxation parameters GaAs in strong electric fields	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.382.323