Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков

dc.contributor.author	Шварц, Ю.М.
dc.contributor.author	Шварц, М.М.
dc.contributor.author	Иващенко, А.Н.
dc.contributor.author	Босый, В.И.
dc.contributor.author	Максименко, А.Г.
dc.contributor.author	Сапон, С.В.
dc.date.accessioned	2014-11-09T11:41:46Z
dc.date.available	2014-11-09T11:41:46Z
dc.date.issued	2003
dc.identifier.citation	Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков / Ю.М. Шварц, М.М. Шварц, А.Н. Иващенко, В.И. Босый, А.Г. Максименко, С.В. Сапон // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 59-61. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70642
dc.description.abstract	Представлены кремниевые диодные сенсоры температуры нового поколения. Разработанные температурные сенсоры характеризуют высокая точность измерения в широком диапазоне температур, высокая взаимозаменяемость, низкое энергопотребление, малая масса, способность эффективно функционировать в условиях комбинированного воздействия низких и высоких температур, термоциклов, механических ударов и вибраций, климатических факторов, высокой радиации и т. д.	uk_UA
dc.description.abstract	We have developed the new type of the silicon diode temperature sensors (DTSs) with advanced characteristics on the base of highly doped p-n silicon structures. The industrial technology of manufacturing such type of structures with minimized leakage and generation-recombination currents (almost ideal diode) have provided to make the advanced diode temperature sensors for extreme electronics. The design and assembly technology for the DTSs has been developed with making use of laser engineering for the package production.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Твердотельная СВЧ-микроэлектроника	uk_UA
dc.title	Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков	uk_UA
dc.title.alternative	New generation of the misroelectronics silicon diode temperature sensors	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	536.53