Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок

Abstract

Приводятся результаты теоретических расчетов функции распределения темнового и светового потенциалов по поверхности проводящего полупроводникового диска (пленки) с четырьмя квадратно расположенными по его краям электрическими контактами. Найдена аналитическая связь выходного напряжения такого фотоприемника с величиной тока, интенсивностью и координатами локальной засветки. Подтверждена возможность разработки на основе низкоомных фотопроводников нового класса позиционно-чувствительных приборов.

The outcomes of theoretical accounts of a cumulative distribution function of dark and of light potentials on a surface of a conducting semiconducting disk with a current and four electrical contacts which located squarly on its edges, is shown. The analytical dependence of output voltage of such photoreceiver from magnitude of a current, intensity and coordinates of a local exposure is found.