Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb

dc.contributor.author	Андронова, Е.В.
dc.contributor.author	Баганов, Е.А.
dc.contributor.author	Далечин, А.Ю.
dc.contributor.author	Карманный, А.Ю.
dc.date.accessioned	2014-11-08T17:20:45Z
dc.date.available	2014-11-08T17:20:45Z
dc.date.issued	2003
dc.identifier.citation	Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb / Е.В. Андронова, Е.А. Баганов, А.Ю. Далечин, А.Ю. Карманный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 46-48. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70598
dc.description.abstract	Исследовано влияние поглощения излучения в квантовых точках (КТ) InSb на эффективность термофотовольтаических (ТФВ) элементов на основе GaSb. Показано, что введение КТ позволяет значительно расширить спектральный диапазон фоточувствительности и повысить эффективность ТФВ-элементов. Анализ оптических переходов в КТ InSb, а также зависимости термодинамической эффективности ТФВ-элемента от размеров КТ позволил определить оптимальный тип проводимости, уровень легирования материала матрицы, а также выбрать оптимальный диаметр КТ.	uk_UA
dc.description.abstract	The investigation results of influence of InSb quantum dots photon absorbtion on GaSb termophotovoltaic cells efficiency are presented. It is shown, that quantum dots introduction allows to expand a spectral range of photosensivity considerably and, thus, to increase efficency of thermophotovoltaic cells. The analysis of optical transitions in InSb quantum dots and dependences of thermophotovoltaic cells efficiency on the quantum dots sizes had allowed to determine optimum type of conductivity and doping level of a matrix material and also to determine optimum quantum dots diameter.	uk_UA
dc.description.sponsorship	Исследования выполнены при финансовой поддержке Фонда гражданских исследований и развития США для независимых государств бывшего Советского Союза (CRDF) по гранту UE2-2225/6561.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Термофотовольтаика	uk_UA
dc.title	Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb	uk_UA
dc.title.alternative	Using of InSb quantum dots in GaSb thermophotovoltaic cells	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA