Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки

dc.contributor.author	Гаркавенко, А.С.
dc.contributor.author	Мокрицкий, В.А.
dc.contributor.author	Банзак, О.В.
dc.contributor.author	Завадский, В.А.
dc.date.accessioned	2014-11-08T13:40:19Z
dc.date.available	2014-11-08T13:40:19Z
dc.date.issued	2014
dc.identifier.citation	Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки / А.С. Гаркавенко, В.А. Мокрицкий, О.В. Банзак, В.А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 4. — С. 50-55. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.other	DOI: 10.15222/TKEA2014.4.50
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70572
dc.description.abstract	При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий получен новый вид отжига, названный авторами «ионизационным», дано его теоретическое обоснование.	uk_UA
dc.description.abstract	При опроміненні напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій отримано новий вид відпалу, названий авторами «іонізаційним», надано його теоретичне обгрунтування.	uk_UA
dc.description.abstract	During irradiation of semiconductor crystals with powerful (high current) pulsed high-energy electron beams, a new type of annealing has been obtained. We could obtain new results and to find out physical nature of this phenomenon due to short and powerful bunches of electrons with high energy. Given its theoretical justification, the new annealing type has been called the "ionization annealing".	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы электроники	uk_UA
dc.title	Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки	uk_UA
dc.title.alternative	Іонізаційний відпал напівпровідникових кристалів. Частина перша: Теоретичні передумови	uk_UA
dc.title.alternative	Ionization annealing of semiconductor crystals. Part one: Theoretical background	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	535.14:621.365.826