Микротвердость кристаллов Тl₃VS₄

Abstract

Представлены результаты экспериментальных исследований микротвердости по Виккерсу HV кристаллов Тl₃VS₄. Измерения выполнены на кристаллографических плоскостях (100), (110) и (111) с диагональю индентора, направленной вдоль [110]. Приведены результаты измерений HV в зависимости от нагрузки для неотожженных и отожженных при различных режимах отжига образцов; установлен оптимальный режим отжига. Корректность измерений подтверждена согласием между микротвердостью HV*, соответствующей началу пластической деформации, и корректированной микротвердостью HVc, полученной по наклону зависимости нагрузки от диагонали отпечатка. Сравниваются значения микротвердости HV* кристаллов Тl₃VS₄, найденные методами Бриджмена− Стокбаргера и зонной перекристаллизации под давлением аргона. Предложена полуэмпирическая формула для описания микротвердости ионных и ионно-ковалентных кристаллов. Выполнен сравнительный анализ экспериментальных и расчетных значений микротвердости для всех изоструктурных соединений класса Tl₃B⁵C₄⁶ (B⁵ − V, Nb, Ta; C⁶ − S, Se).

Experimental results of Vickers microhardness HV researches of single crystals Тl₃VS₄ are presented. Measurements were performed on the crystallographic planes (100), (110) and (111) with indenter diagonal directed along [110]. Load-dependent microhardness HV(P) was studied on unannealed and annealed samples at various conditions of annealing and the optimal condition of annealing was determined. Correctness of measuring follows from the comparison of corrected microhardness HVc, that was determined as slope of the function P1/2(d), and load-independent microhardness HV*. Values of microhardness HV* of Тl₃VS₄ crystals obtained by the methods of Bridgman−Stockbarger and by floating-zone refining are compared. Semiempirical formula for the description of microhardness of ionic and ion-covalent crystals is proposed. Comparative analysis of experimental and calculated values of microhardness for all compounds of the Tl₃B⁵C₄⁶ type(B⁵ − V, Nb, Ta; C⁶ − S, Se) is carried out.