Изменение энергии основного состояния MnAs при индуцированных давлением магнитоструктурных переходах «высокий спин−низкий спин»

Abstract

Первопринципным методом FP-LMTO исследовалось основное состояние MnAs с гексагональной (В81) и искаженной ромбической (В31) кристаллической структурой. Показано, что в этом соединении при изменении объема решетки происходит непрерывный переход от высоко- к низкоспиновому состоянию. Исходя из результатов расчета полной энергии исследуемой системы как функции параметров структурных искажений, установлено, что высокоспиновое состояние подавляет структурные искажения, а низкоспиновое – наоборот, усиливает их. Предположено, что качественная интерпретация механизма магнитоструктурных переходов в MnAs должна исходить из представления о главенствующей роли степени заполнения «антисвязующих» состояний коллективизированных носителей магнетизма.

The first-principles method FP-LMTO was used to investigate the ground state of MnAs with the hexagonal (B81) and distorted rhombic (B31) crystal structure. It is shown that in the compound, during the change of lattice volume, there occurs a continuous transition from the high- to the low-spin state. Basing on the results of calculation of the total energy of the investigated system as a function of parameters of structure distortions, it has been determined that the high-spin state suppresses structure distortions, while the low-spin one enhances the same. It is assumed that a qualitative interpretation of the mechanism of magnetostructural transitions in MnAs should proceed from the idea of the predominant role of the degree of filling the «antibonding» states of collective magnetism carriers.