Гончарук, Н.М.; Карушкин, Н.Ф.; Ореховский, В.А.; Малышко, В.В.
(Радіофізика та електроніка, 2014)
Рабочая частота диода субмиллиметрового диапазона на AlGaN/GaN однобарьерной наноструктуре с нерезонансным туннелированием электронов определяется инерционностью их туннелирования через потенциальный барьер этой структуры. ...