Лукин, К.А.; Максимов, П.П.; Шиян, Ю.А.
(Радіофізика та електроніка, 2012)
В рамках диффузионно-дрейфовой модели полупроводников моделируется процесс преобразования частоты сигналов в Ge, Si и GaAs pn–i–pn-структурах с резкими лавинными p–n-переходами и постоянным обратным смещением. Исследованы ...