Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами (ТГ) в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивления между контактами диодной структуры и ...

Предложен метод разделения эмиссионных спектров на отдельные линии с помощью оптимизации модели полного спектра.

Изучены особенности формирования генерационных характеристик излучения твердотельных лазеров на красителях с поперечной накачкой. Экспериментально исследованы зависимости энергии, спектра и направленности излучения ...

Изучено исчезновение дрейфующего домена в приборах на основе варизонных полупроводников. Показано, что длина области дрейфа домена и частота генерируемых колебаний тока в n⁺-n-n⁺-приборах на основе варизонных полупроводников ...

Представлен анализ транспортных свойств, идеализированного режима c ограничением накопления объемного заряда и резонансно-пролетного режима в n⁺–n–n⁺ и n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺-диодах Ганна на основе GaN, AlN и InN. Показаны ...