Підвищення ефективності світлодіодних гетероструктур на основі нітриду галія

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення інформатики
→
Комп’ютерні засоби, мережі та системи
→
Комп’ютерні засоби, мережі та системи, 2003
→
Комп’ютерні засоби, мережі та системи, 2003, № 2
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Яворський, І.О.
dc.contributor.author	Вербицький, В.Г.
dc.contributor.author	Осінський, В.І.
dc.date.accessioned	2010-03-02T10:14:12Z
dc.date.available	2010-03-02T10:14:12Z
dc.date.issued	2003
dc.identifier.citation	Підвищення ефективності світлодіодних гетероструктур на основі нітриду галія / І.О. Яворський, В.Г Вербицький., В.І. Осінський // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2003. — № 2. — С.130-133. — Бібліогр.: 6 назв. — укр.	uk_UA
dc.identifier.issn	1817-9908
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/6391
dc.description.abstract	Показано, що через використання сапфірової підложки зі сформованими на ній елементами дифракційної оптики можливе підвищення світлового виходу світлодіодних гетероструктур до 75%.. Пропонується розширити спектр випромінювання гетероструктур до білого за рахунок використання при їх формуванні низькоенергетичних іонів індію.	uk_UA
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України	uk_UA
dc.title	Підвищення ефективності світлодіодних гетероструктур на основі нітриду галія	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.382