Одновимірне розупорядкування в тонких плівках фулериту С₆₀

Abstract

На підставі даних прямого спостереження методом електронної мікроскопії високої роздільної здатності одновимірно розупорядкованих структур у плівках фулериту показано ймовірність певної кореляції в розміщенні дефектів пакування аж до утворення політипів, включаючи цілковиту перебудову ГЦК ГЩУ, а також підтверджено можливість використання методів теорії інформації для кількісної оцінки ступеня розупорядкованості в розміщенні площин типу {111} в ГЦК-структурі фулериту. Зіставлення цих результатів із результатами аналізу власних і літературних даних щодо дифракції рентгенівських та електронних променів на кристалах із дефектами пакування підтверджує правильність наявних моделей, що лежать в основі інтерпретації їх.

На основании данных прямого наблюдения методом электронной микроскопии высокой разрешающей способности одномерно разупорядоченных структур в пленках фуллерита продемонстрирована возможность определенной корреляции в расположении дефектов упаковки вплоть до образования политипов, включая полную перестройку ГЦК ГПУ, а также подтверждена возможность использования методов теории информации для количественной оценки степени разупорядоченности в расположении плоскостей типа {111} в ГЦК-структуре фуллерита. Сопоставление этих результатов с результатами анализа собственных и литературных данных относительно дифракции рентгеновских и электронных лучей на кристаллах с дефектами упаковки подтверждает правильность существующих моделей, лежащих в основе их интерпретации.

On the base of direct HREM investigation of disordered structures in fullerite thin films the possibility of certain correlation in arrangement of stacking faults up to formation of polytypes and possible complete f.c.c. → h.c.p. transformation was demonstrated. The possibility of implementation of information theory methods for quantitative evaluation of disorder degree in arrangement of {111} type planes in f.c.c. structure of fullerite is approved. The comparison of these results with the published data about X-ray and electron beam diffraction on crystals containing stacking faults approves the existing models used for their interpretation.