Моделирование процессов тепломассопереноса при жидкофазной эпитаксии соединений А³В⁵ методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава

Abstract

Рассмотрены процессы тепломассопереноса, происходящие при эпитаксии структур методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава с учетом слоя технологического газа между подложкой и теплопоглотителем. Получены зависимости времени появления и величины максимума переохлаждения на фронте кристаллизации от технологических параметров процесса. Показано, что область оптимального применения данного метода – субмикронные слои толщиной менее 100…200 нм.

Розглянуто процеси тепломасопереносу, що відбуваються при епітаксії структур методом імпульсного охолодження насиченого розчину-розплаву з урахуванням шару технологічного газу між підкладкою та теплопоглиначем. Отримано залежності часу появлення та величини максимуму переохолодження на фронті кристалізації від технологічних параметрів процесу. Показано, що область оптимального використання даного методу – субмікронні шари, що мають товщину меншу ніж 100…200 нм.

Heat-mass transfer processes at epitaxy by the method of pulse cooling of saturated solution-melt with consideration of technological gas layer between substrate and heat absorber are examined. Value and appearance time of maximum supercooling dependences on technological parameters are obtained. It is shown, that optimum use area of this method is submicron layers with width less than 100-200 nm.