Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей

dc.contributor.author	Емцев, П.А.
dc.date.accessioned	2014-02-15T19:04:59Z
dc.date.available	2014-02-15T19:04:59Z
dc.date.issued	2004
dc.identifier.citation	Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей / П.А. Емцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 49-51. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56303
dc.description.abstract	Методика определения параметров малосигнальной модели транзистора позволяет при минимальном количестве исходных данных получить модель, пригодную для практического применения.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Интегральные схемы и полупроводниковые приборы	uk_UA
dc.title	Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей	uk_UA
dc.title.alternative	Малосигнальна модель транзистора в розробленні НВЧ-підсилювачів з малим рівнем шумів	uk_UA
dc.title.alternative	Small signal transistor model for microwave low noise amplifier development	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA