Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов

dc.contributor.author	Рюхтин, В.В.
dc.contributor.author	Добровольский, Ю.Г.
dc.date.accessioned	2014-02-15T18:50:42Z
dc.date.available	2014-02-15T18:50:42Z
dc.date.issued	2004
dc.identifier.citation	Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов / В.В. Рюхтин, Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 45-48. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56302
dc.description.abstract	Рассмотрены подходы к конструированию лавинных и нелавинных германиевых фотодиодов с применением эпитаксиальных структур и термоэлектрического охлаждения.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Интегральные схемы и полупроводниковые приборы	uk_UA
dc.title	Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов	uk_UA
dc.title.alternative	Особливості розроблення термостабілізованих германієвих фотодіодів.	uk_UA
dc.title.alternative	Features for development thermally stabilized germanium photodiodes	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA