Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры

dc.contributor.author	Гасанов, А.М.
dc.contributor.author	Касимов, Ф.Д.
dc.contributor.author	Лютфалибекова, А.Э.
dc.date.accessioned	2014-02-15T11:55:00Z
dc.date.available	2014-02-15T11:55:00Z
dc.date.issued	2004
dc.identifier.citation	Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры / А.М. Гасанов, Ф.Д. Касимов, А.Э. Лютфалибекова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 5. — С. 29-31. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56256
dc.description.abstract	Исследовано влияние локального анизотропного давления на кремниевую МОП-структуру. Предложена негатронная схема, преобразующая давление в частоту.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Электронная аппаратура: исследования, разработки	uk_UA
dc.title	Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры	uk_UA
dc.title.alternative	Мікронегатронний перетворювач тиску на основі кремнієвої МОН-структури	uk_UA
dc.title.alternative	The micronegatron converter of pressure on the base of silicon MOS-structure	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA