Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Крамар, В.М. |
|
dc.contributor.author |
Ткач, М.В. |
|
dc.date.accessioned |
2014-02-14T19:20:22Z |
|
dc.date.available |
2014-02-14T19:20:22Z |
|
dc.date.issued |
2010 |
|
dc.identifier.citation |
Енергетичний спектр електрона з фононними повтореннями у плоскій напівпровідниковій наногетероструктурі з квантовою ямою / В.М. Крамар, М.В. Ткач // Український фізичний журнал. — 2010. — Т. 55, № 6. — С. 726-732. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
2071-0194 |
|
dc.identifier.other |
PACS 63.20.Kr; 79.60 Jv |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56224 |
|
dc.description.abstract |
Дослiджено перенормування енергетичного спектра електрона у плоскiй напiвпровiдниковiй наногетероструктурi з прямокутною квантовою ямою скiнченої глибини внаслiдок взаємодiї з оптичними поляризацiйними фононами. У рамках методу функцiй Грiна одержано аналiтичний вигляд масового оператора, де враховано двофононнi процеси електрон-фононної взаємодiї при T = 0 K. Обчислено поправку до енергiї дна основної зони електрона та положення перших фононних повторень, викликаних його взаємодiєю з обмеженими, напiвпросторовими та iнтерфейсними фононами. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
We investigated the renormalization of the energy spectrum of an electron in a flat semiconductor nanoheterostructure with a rectangular quantum well of finite depth due to its interaction with optical polarization phonons. The analytical form of the mass operator with regard for two-phonon processes of the electronphonon interaction at T = 0 K is obtained in the framework of the Green function method. The corrections to the main-band bottom energy of an electron and positions of the first phonon replicas induced by its interaction with confined, half-space, and interface phonons are calculated. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Исследовано перенормирование энергетического спектра электрона в плоской полупроводниковой наногетероструктуре с прямоугольной квантовой ямой конечной глубины вследствие взаимодействия с оптическими поляризационными фононами. В рамках метода функций Грина получено аналитическое выражение для массового оператора, учитывающего двухфононные процессы электрон-фононного взаимодействия при T = 0 K. Вычислена поправка к энергии дна основной зоны электрона и положение первых фононных повторений, вызванных его взаимодействием с ограниченными, полуограниченными и интерфейсными фононами. |
uk_UA |
dc.language.iso |
uk |
uk_UA |
dc.publisher |
Відділення фізики і астрономії НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Український фізичний журнал |
|
dc.subject |
Наносистеми |
uk_UA |
dc.title |
Енергетичний спектр електрона з фононними повтореннями у плоскій напівпровідниковій наногетероструктурі з квантовою ямою |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Energy Spectrum of an Electron with Phonon Replicas in a Flat Semiconductor Nanoheterostructure with Quantum Well |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Энергетический спектр электрона с фононными повторениями в плоской полупроводниковой наногетероструктуре с квантовой ямой |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
538.975; 538.915 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті