Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии

dc.contributor.author	Иванов, В.Н.
dc.contributor.author	Ковтонюк, В.М.
dc.contributor.author	Раевская, Н.С.
dc.date.accessioned	2014-02-01T22:15:21Z
dc.date.available	2014-02-01T22:15:21Z
dc.date.issued	2004
dc.identifier.citation	Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии / В.Н. Иванов, В.М. Ковтонюк, Н.С. Раевская // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 55-57. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/54433
dc.description.abstract	Рабочая частота 42 ГГц, выходная мощность больше 1 мВт при рабочем токе менее 120 мА, повышенный выход годных диодов.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Интегральные схемы и полупроводниковые приборы	uk_UA
dc.title	Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии	uk_UA
dc.title.alternative	Розробка конструкції та технології виготовлення діодів Ганна для НВЧ-терапії	uk_UA
dc.title.alternative	Development of design and technology of Gunn diodes for EHE- therapy	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA