Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения

dc.contributor.author	Ковалюк, З.Д.
dc.contributor.author	Катеринчук, В.Н.
dc.date.accessioned	2014-02-01T21:25:32Z
dc.date.available	2014-02-01T21:25:32Z
dc.date.issued	2004
dc.identifier.citation	Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 7-9. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/54420
dc.description.abstract	Изготовленные гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) могут быть использованы для упрощения регистрации азимутальной ориентации плоскополяризованного света.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы для микроэлектроники	uk_UA
dc.title	Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения	uk_UA
dc.title.alternative	Напівпровідникові гетеропереходи оксид-InSe(GaSe) для фотоелектричних аналізаторів поляризованого випромінювання	uk_UA
dc.title.alternative	Oxide InSe(GaSe) semiconductor heterojunctions for polarized radiation photoelectric analyzers	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA