Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения

dc.contributor.author	Абызов, А.С.
dc.contributor.author	Ажажа, В.М.
dc.contributor.author	Давыдов, Л.Н.
dc.contributor.author	Ковтун, Г.П.
dc.contributor.author	Кутний, В.Е.
dc.contributor.author	Рыбка, А.В.
dc.date.accessioned	2014-02-01T21:19:48Z
dc.date.available	2014-02-01T21:19:48Z
dc.date.issued	2004
dc.identifier.citation	Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения / А.С. Абызов, В.М. Ажажа, Л.Н. Давыдов, Г.П. Ковтун, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 3-6. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/54419
dc.description.abstract	На основе физических параметров, критичных для детектирующей способности детектора, проведен анализ бинарных соединений с тетраэдрической структурой.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы для микроэлектроники	uk_UA
dc.title	Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения	uk_UA
dc.title.alternative	Вибір напівпровідникового матеріалу для детекторів гамма-випромінювання	uk_UA
dc.title.alternative	Selection of semiconductor material for gamma-radiation detectors	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA