Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si

dc.contributor.author	Искендер-заде, З.А.
dc.contributor.author	Ахундов, М.Р.
dc.contributor.author	Джафарова, Э.А.
dc.contributor.author	Алиханова, Ш.А.
dc.date.accessioned	2014-01-27T18:32:20Z
dc.date.available	2014-01-27T18:32:20Z
dc.date.issued	2004
dc.identifier.citation	Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si / З.А. Искендер-заде, М.Р. Ахундов, Э.А. Джафарова, Ш.А. Алиханова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 2. — С. 59-61. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53803
dc.description.abstract	Показана возможность практического применения Al-SiO₂-Si-структур в создании стабильных и управляемых элементов памяти.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы электроники	uk_UA
dc.title	Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si	uk_UA
dc.title.alternative	Ефекти перемикання та пам'яті в МОН-структурах Al-SiO₂-Si	uk_UA
dc.title.alternative	Switching and memory effects in Al-SiO₂-Si MOS structures	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA