Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ

dc.contributor.author	Ижнин, И.И.
dc.contributor.author	Вакив, Н.М.
dc.contributor.author	Ижнин, А.И.
dc.contributor.author	Сыворотка, И.М.
dc.contributor.author	Убизский, С.Б.
dc.date.accessioned	2014-01-25T21:05:42Z
dc.date.available	2014-01-25T21:05:42Z
dc.date.issued	2005
dc.identifier.citation	Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr⁺⁴:АИГ / И.И. Ижнин, Н.М. Вакив, А.И. Ижнин, И.М. Сыворотка, С.Б. Убизский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 30-32. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53680
dc.description.abstract	Разработан макетный образец монолитного твердотельного микрочипового лазера с пассивной модуляцией добротности па основе Nd:АИГ/Сr⁺⁴:АИГ с применением метода жидкофазной эпитаксии.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ	uk_UA
dc.title.alternative	Мікрочипові лазери з пасивною модуляцією добротності на основі епітаксійних структур Nd:АІГ/Сr⁺⁴:АІГ	uk_UA
dc.title.alternative	Microchip lasers with passive modulation of good quality on the basis of epitaxial structures Nd:YAG/Сr⁺⁴:YAG	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA