Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами

dc.contributor.author	Баранов, В.В.
dc.date.accessioned	2014-01-25T12:51:16Z
dc.date.available	2014-01-25T12:51:16Z
dc.date.issued	2005
dc.identifier.citation	Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами / В.В. Баранов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 42-46. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53630
dc.description.abstract	Показаны возможности повышения технологичности МОП-транзисторов, а также создания ДМОП-транзисторов с вертикальной структурой, перспективной для мощных полупроводниковых приборов.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы и оборудование	uk_UA
dc.title	Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами	uk_UA
dc.title.alternative	Технологічні передумови створення МОН-структур з малими проектними нормами	uk_UA
dc.title.alternative	Technological prerequisites for manufacturing the MOS structures with layout of small dimensions	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA