Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge

dc.contributor.author	Дружинин, А.А.
dc.contributor.author	Островский, И.П.
dc.contributor.author	Матвиенко, С.М.
dc.contributor.author	Когут, Ю.Р.
dc.date.accessioned	2014-01-21T20:09:16Z
dc.date.available	2014-01-21T20:09:16Z
dc.date.issued	2005
dc.identifier.citation	Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge / А.А. Дружинин, И.П. Островский, С.М. Матвиенко, Ю.Р. Когут // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 1. — С. 26-27. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53520
dc.description.abstract	На основе сильнолегированных нитевидных кристаллов Si-Ge создан датчик для измерения криогенных температур, работоспособный в условиях магнитных полей.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Сенсоэлектроника. Датчики	uk_UA
dc.title	Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge	uk_UA
dc.title.alternative	Датчик для вимірювання кріогенних температур на основі ниткоподібних кристалів Si-Ge	uk_UA
dc.title.alternative	Sensor based on Si-Ge whiskers for cryogenic temperatures measurement	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA