Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского

dc.contributor.author	Ковтун, Г.П.
dc.contributor.author	Щербань, А.П.
dc.date.accessioned	2014-01-19T22:01:17Z
dc.date.available	2014-01-19T22:01:17Z
dc.date.issued	2006
dc.identifier.citation	Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53387
dc.description.abstract	Рассмотрены современные достижения в создании ростового оборудования для производства ПИ-GaAs методом ЖГЧ. Приведены сравнительные характеристики и анализ установок нового и предшествующего поколений.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Техническая политика	uk_UA
dc.title	Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского	uk_UA
dc.title.alternative	Обладнання для вирощування в виробництві напівізолюючого GaAs за методом Чохральського	uk_UA
dc.title.alternative	The equipment for production SI-GaAs by LEC method	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA