Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров

dc.contributor.author	Дружинин, А.A.
dc.contributor.author	Голота, В.И.
dc.contributor.author	Когут, И.Т.
dc.date.accessioned	2014-01-08T19:03:41Z
dc.date.available	2014-01-08T19:03:41Z
dc.date.issued	2007
dc.identifier.citation	Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров / А.A. Дружинин, В.И. Голота, И.Т. Когут // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 50-53. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52878
dc.description.abstract	Предложен практический способ формирования элементов субмикронных размеров с использованием совмещения с базовыми знаками стандартной проекционной литографии, предварительно созданными на этапе "нулевой" фотолитографии.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы и оборудование	uk_UA
dc.title	Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров	uk_UA
dc.title.alternative	Технологія виготовлення автоемісійних кремнієвих катодів субмікронних розмірів	uk_UA
dc.title.alternative	The preparation technology of field emission silicon cathode	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA