Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵

dc.contributor.author	Ёдгорова, Д.М.
dc.contributor.author	Каримов, А.В.
dc.contributor.author	Гиясова, Ф.А.
dc.contributor.author	Саидова, Р.А.
dc.date.accessioned	2014-01-07T19:13:44Z
dc.date.available	2014-01-07T19:13:44Z
dc.date.issued	2007
dc.identifier.citation	Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵ / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Ф.А. Гиясова, Р.А. Саидова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 56-58. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52817
dc.description.abstract	Предлагаемые способ и устройство предназначены для создания многослойных полупроводниковых приборов различного спектрального диапазона, а также структур на основе арсенидгаллиевых соединений.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы и оборудование	uk_UA
dc.title	Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵	uk_UA
dc.title.alternative	Комбінований спосіб вирощування епітаксійних шарів напівпровідникових сполук А³В⁵	uk_UA
dc.title.alternative	Combined way of cultivation of epitaxial layers of semiconductor connections А³В⁵	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA