Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде

dc.contributor.author	Кушниренко, В.В.
dc.contributor.author	Нинидзе, Г.К.
dc.contributor.author	Павлюк, С.П.
dc.contributor.author	Савицкий, С.М.
dc.contributor.author	Третяк, О.В.
dc.date.accessioned	2014-01-05T20:24:10Z
dc.date.available	2014-01-05T20:24:10Z
dc.date.issued	2007
dc.identifier.citation	Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р⁺–n-диоде / В.В. Кушниренко, Г.К. Нинидзе, С.П. Павлюк, С.М. Савицкий, О.В. Третяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 1. — С. 32-35. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52645
dc.description.abstract	Предложен способ регулируемого изменения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диодного кристалла полупроводника под действием короткого модифицирующего импульса тока.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде	uk_UA
dc.title.alternative	Вплив імпульсів прямою струму на час житія неосновних носіїв заряду у р⁺–n-діоді	uk_UA
dc.title.alternative	Influence of pulses of a direct current on time of life of the not basic carriers of a charge in р⁺–n-diode	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA